Arbeitsspeicher aus China: CXMTs G5-Plattform ist in der Massenproduktion - Golem.de

Die neue Technologieplattform von CXMT soll leistungsfähige Chips zu geringeren Kosten und bei reduziertem Energieverbrauch ermöglichen.

21. September 2026 um 13:45 Uhr / Mike Faust

Hauptsitz von ChangXin Memory Technologies (CXMT) in Hefei in der ostchinesischen Provinz Anhui am 16. Juli 2026 (Bild: CN-STR / AFP via Getty Images)

Hauptsitz von ChangXin Memory Technologies (CXMT) in Hefei in der ostchinesischen Provinz Anhui am 16. Juli 2026 Bild: CN-STR / AFP via Getty Images

Der chinesische Halbleiterproduzent CXMT hat auf der World Manufacturing Conference 2026 bekanntgegeben, dass seine Technologieplattform der fünften Generation (G5-Plattform) in die Massenproduktion eingetreten ist. Die neue Plattform dient der Herstellung leistungsfähigerer Speicherchips und soll gegenüber dem Vorgänger geringere Kosten sowie einen reduzierten Energieverbrauch ermöglichen.

In der zugehörigen Pressemitteilung(öffnet im neuen Fenster) heißt es, dass die höhere Speicherdichte durch eine engere Anordnung der datenspeichernden Strukturen auf den Chips erreicht worden sei. Der Abstand im aktiven Bereich der Speicherzellenfelder wird mit 11,95 Nanometern angegeben. Als Fertigungsmethode wurde das sogenannte Quadruple Patterning eingesetzt, bei dem mehrere Fertigungsschritte wiederholt werden, um feinere Schaltkreismuster zu erzeugen.

Wie Reuters berichtet(öffnet im neuen Fenster), erklärte CXMT-Vizepräsident Luo Xiaodong auf der Konferenz in Hefei, dass die Prozessfähigkeit des Unternehmens nun auf Augenhöhe mit den fortschrittlichsten Massenfertigern der Branche liege.

50 Prozent mehr Kapazität als bisherige CXMT-Modelle

Im Rahmen der Veranstaltung stellte das Unternehmen zwei 24-Gigabit-LPDDR5X-Produkte vor, die speziell für den Einsatz in Smartphones und tragbaren Geräten entwickelt wurden. Diese Speicher sollen 50 Prozent mehr Kapazität als bisherige CXMT-Modelle bieten und sich in der Massenfertigung auf der G5-Plattform befinden.

Im Vergleich mit der vierten Generation soll die neue Plattform, gemessen an einem 8-Gigabit-Chip-Standard, mindestens 50 Prozent mehr Chips pro Silizium-Wafer liefern. Die Technologie soll mithilfe von Computersimulationen und in enger Zusammenarbeit mit chinesischen Herstellern von Halbleiter-Equipment entwickelt worden sein.

CXMT ist innerhalb von nur zehn Jahren zum viertgrößten DRAM-Hersteller der Welt aufgestiegen. Dabei spielte auch Technologiediebstahl von Samsung eine große Rolle. CXMT steht zudem seit Juni 2026 auf einer Sanktionsliste der USA, was Handelsbeschränkungen mit sich bringt.